SiC қапталған эпитаксиалды реактордың бөшкелері

SiC қапталған эпитаксиалды реактордың бөшкесінің таңдаулы кескіні

Қысқаша сипаттама:

Semicera әртүрлі эпитаксистік реакторларға арналған сенсорлар мен графит компоненттерінің кең ауқымын ұсынады.

Өнеркәсіптегі жетекші OEM-мен стратегиялық серіктестік, материалдардың кең тәжірибесі және озық өндіріс мүмкіндіктері арқылы Semicera қолданбаңыздың нақты талаптарына сәйкес келетін дизайнды ұсынады. Біздің жоғары деңгейге ұмтылуымыз сізге эпитаксистік реактор қажеттіліктері үшін оңтайлы шешімдерді алуға кепілдік береді.

Бізге электрондық поштаны жіберіңіз

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

Біздің компания қамтамасыз етедіSiC жабыныҚұрамында көміртегі мен кремнийі бар арнайы газдар жоғары температурада әрекеттесіп, жабынмен қапталған материалдардың бетіне шөгіп қалуы мүмкін жоғары таза Sic молекулаларын алуы үшін CVD әдісімен графит, керамика және басқа материалдардың бетінде өңдеу қызметтері.SiC қорғаныс қабатыэпитаксистік баррель типті гипнотикалық үшін.

Негізгі ерекшеліктері:

1 .Тазалығы жоғары SiC қапталған графит

2. Жоғары ыстыққа төзімділік және жылу біркелкілігі

3. ЖақсыSiC кристалымен қапталғантегіс бет үшін

4. Химиялық тазалауға төзімділігі жоғары

SiC қапталған эпитаксиалды реактордың бөшкелері

Негізгі техникалық сипаттамаларыCVD-SIC жабыны

SiC-CVD қасиеттері
Кристалл құрылымы	FCC β фазасы
Тығыздығы	г/см³	3.21
Қаттылық	Викерс қаттылығы	2500
Астық мөлшері	мкм	2~10
Химиялық тазалық	%	99.99995
Жылу сыйымдылығы	Дж·кг-1 ·К-1	640
Сублимация температурасы	℃	2700
Фелексальды күш	МПа (RT 4-нүкте)	415
Жас модулі	Gpa (4pt иілу, 1300℃)	430
Термиялық кеңею (CTE)	10-6К-1	4.5
Жылу өткізгіштік	(Вт/мК)	300