Сипаттама
Біздің компания графит, керамика және басқа материалдардың бетіне CVD әдісімен SiC жабынымен қаптау қызметтерін ұсынады, осылайша құрамында көміртегі мен кремний бар арнайы газдар жоғары температурада әрекеттеседі, жоғары таза SiC молекулаларын, қапталған материалдардың бетіне тұндырылған молекулаларды, SIC қорғаныс қабатын құрайды.
Негізгі мүмкіндіктер
1 .Тазалығы жоғары SiC қапталған графит
2. Жоғары ыстыққа төзімділік және жылу біркелкілігі
3. Тегіс бет үшін жұқа SiC кристалы
4. Химиялық тазалауға төзімділігі жоғары
CVD-SIC жабынының негізгі сипаттамалары
| SiC-CVD қасиеттері | ||
| Кристалл құрылымы | FCC β фазасы | |
| Тығыздығы | г/см³ | 3.21 |
| Қаттылық | Викерс қаттылығы | 2500 |
| Астық мөлшері | мкм | 2~10 |
| Химиялық тазалық | % | 99.99995 |
| Жылу сыйымдылығы | Дж·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Сублимация температурасы | ℃ | 2700 |
| Фелексальды күш | МПа (RT 4-нүкте) | 415 |
| Жас модулі | Gpa (4pt иілу, 1300℃) | 430 |
| Термиялық кеңею (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Жылу өткізгіштік | (Вт/мК) | 300 |
-
Бөшкедегі сусцептордағы кремнийдің эпитаксиалды тұндыру
-
Кремний карбидті жабыны бар графит сепкіш...
-
Кремний карбидімен қапталған эпитаксиалды реактордың бөшкелері
-
Эпитаксистік реактор жүйесіндегі CVD эпитаксиалды тұндыру
-
Жоғары сапалы тантал карбиді (TaC) жабыны
-
Жартылай бөліктер Барабан өнімдері Эпитаксиалды бөлік