Жоғары температураға және коррозияға төзімді жарықдиодты кремний карбиді ою науасы (ICP ою науасы)

Қысқаша сипаттама:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. — пластиналар мен жетілдірілген жартылай өткізгіш шығын материалдарына маманданған жетекші жеткізуші.Біз жартылай өткізгіштер өндірісіне жоғары сапалы, сенімді және инновациялық өнімдерді ұсынуға ниеттіміз,фотоэлектрлік өнеркәсіпжәне басқа да байланысты салалар.

Біздің өнім желісі кремний карбиді, кремний нитриді, алюминий оксиді және т.

Сенімді жеткізуші ретінде біз шығын материалдарының өндіріс процесіндегі маңыздылығын түсінеміз және тұтынушыларымыздың қажеттіліктерін қанағаттандыру үшін ең жоғары сапа стандарттарына сәйкес келетін өнімдерді жеткізуге міндеттенеміз.

Бізге электрондық поштаны жіберіңіз

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

Өнім Сипаттамасы

Біздің компания графит, керамика және басқа материалдардың бетіне CVD әдісімен SiC жабынымен қаптау қызметтерін ұсынады, осылайша құрамында көміртегі мен кремний бар арнайы газдар жоғары температурада әрекеттеседі, жоғары таза SiC молекулаларын, қапталған материалдардың бетіне тұндырылған молекулаларды, SIC қорғаныс қабатын құрайды.

Негізгі ерекшеліктері:

1. Жоғары температурадағы тотығуға төзімділігі:

температура 1600 C дейін жоғары болған кезде тотығуға төзімділік әлі де өте жақсы.

2. Жоғары тазалық: жоғары температурада хлорлау жағдайында химиялық бу тұндыру арқылы жасалған.

3. Эрозияға төзімділік: жоғары қаттылық, ықшам беті, ұсақ бөлшектер.

4. Коррозияға төзімділік: қышқыл, сілті, тұз және органикалық реагенттер.

1111111斯蒂芬森

Вакуумдық пешке арналған графит қатты киіз

11111111111111111

CVD-SIC жабынының негізгі сипаттамалары

SiC-CVD қасиеттері
Кристалл құрылымы	FCC β фазасы
Тығыздығы	г/см³	3.21
Қаттылық	Викерс қаттылығы	2500
Астық мөлшері	мкм	2~10
Химиялық тазалық	%	99.99995
Жылу сыйымдылығы	Дж·кг-1 ·К-1	640
Сублимация температурасы	℃	2700
Фелексальды күш	МПа (RT 4-нүкте)	415
Жас модулі	Gpa (4pt иілу, 1300℃)	430
Термиялық кеңею (CTE)	10-6К-1	4.5
Жылу өткізгіштік	(Вт/мК)	300