Кремний карбиді субстраттары|SiC пластиналары

Кремний карбиді субстраттары|SiC пластинасының таңдаулы кескіні

Қысқаша сипаттама:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd - вафли және озық жартылай өткізгіш шығын материалдарына маманданған жетекші жеткізуші.Біз жартылай өткізгіштер өндірісіне, фотоэлектрлік өнеркәсіпке және басқа да байланысты салаларға жоғары сапалы, сенімді және инновациялық өнімдерді ұсынуға тырысамыз.

Біздің өнім желісі кремний карбиді, кремний нитриді, алюминий оксиді және т.

Қазіргі уақытта біз тазалықты 99,9999% SiC жабынымен және 99,9% қайта кристалданған кремний карбидімен қамтамасыз ететін жалғыз өндірушіміз.SiC жабынының максималды ұзындығы 2640 мм.

Бізге электрондық поштаны жіберіңіз

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

Кремний карбидінің (SiC) монокристалды материалы үлкен жолақ ені (~Si 3 есе), жоғары жылу өткізгіштік (~Si 3,3 есе немесе GaAs 10 есе), электронды қанықтыру миграциясының жоғары жылдамдығы (~Si 2,5 есе), жоғары бұзылатын электрлік өріс (~Si 10 есе немесе GaAs 5 есе) және басқа да тамаша сипаттамалар.

SiC құрылғылары жоғары температура, жоғары қысым, жоғары жиілік, жоғары қуатты электрондық құрылғылар және аэроғарыштық, әскери, ядролық энергетика және т. қолданбалы болып келеді және бірте-бірте қуатты жартылай өткізгіштердің негізгі ағынына айналуда.

4H-SiC кремний карбиді субстратының техникалық сипаттамалары

Элемент 项目	Техникалық сипаттамалар参数
Политип 晶型	4H -SiC	6H- SiC
Диаметрі 晶圆直径	2 дюйм \|3 дюйм \|4 дюйм \|6 дюйм	2 дюйм \|3 дюйм \|4 дюйм \|6 дюйм
Қалыңдық 厚度	330 мкм ~ 350 мкм	330 мкм ~ 350 мкм
Өткізгіштік 导电类型	N – түрі / Жартылай оқшаулағыш N型导电片/ 半绝缘片	N – түрі / Жартылай оқшаулағыш N型导电片/ 半绝缘片
Допант 掺杂剂	N2 (Азот)V (Ванадий)	N2 (азот) V (ванадий)
Бағдарлау 晶向	<0001> осінде Өшіру осі <0001> өшірулі 4°	<0001> осінде Өшіру осі <0001> өшірулі 4°
Қарсылық 电阻率	0,015 ~ 0,03 Ом-см (4H-N)	0,02 ~ 0,1 Ом-см (6H-N)
Микроқұбырдың тығыздығы (MPD) 微管密度	≤10/см2 ~ ≤1/см2	≤10/см2 ~ ≤1/см2
TTV 总厚度变化	≤ 15 мкм	≤ 15 мкм
Садақ / Садақ 翘曲度	≤25 мкм	≤25 мкм
Беткей 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
Баға 产品等级	Өндірістік / Зерттеу дәрежесі	Өндірістік / Зерттеу дәрежесі
Кристалды жинақтау реті 堆积方式	ABCB	ABCABC
Тор параметрі 晶格参数	a=3,076A , c=10,053A	a=3,073A , c=15,117A
Мысалы/эВ(жолақ аралығы) 禁带宽度	3,27 эВ	3,02 эВ
ε(диэлектрлік тұрақты) 介电常数	9.6	9.66
Сыну көрсеткіші 折射率	n0 =2,719 не =2,777	n0 =2,707 , жоқ =2,755

6H-SiC кремний карбиді субстратының техникалық сипаттамалары

Элемент 项目	Техникалық сипаттамалар参数
Политип 晶型	6H-SiC
Диаметрі 晶圆直径	4 дюйм \|6 дюйм
Қалыңдық 厚度	350μm ~ 450μm
Өткізгіштік 导电类型	N – түрі / Жартылай оқшаулағыш N型导电片/ 半绝缘片
Допант 掺杂剂	N2 (азот) V (ванадий)
Бағдарлау 晶向	<0001> өшірулі 4°± 0,5°
Қарсылық 电阻率	0,02 ~ 0,1 Ом-см (6H-N түрі)
Микроқұбырдың тығыздығы (MPD) 微管密度	≤ 10/см2
TTV 总厚度变化	≤ 15 мкм
Садақ / Садақ 翘曲度	≤25 мкм
Беткей 表面处理	Si Face: CMP, Epi-Ready C Бет: оптикалық поляк
Баға 产品等级	Зерттеу дәрежесі