GaAs Wafers|GaAs Epi Wafers|Галлий арсениді субстраттары

Қысқаша сипаттама:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd - вафли және озық жартылай өткізгіш шығын материалдарына маманданған жетекші жеткізуші.Біз жартылай өткізгіштер өндірісіне, фотоэлектрлік өнеркәсіпке және басқа да байланысты салаларға жоғары сапалы, сенімді және инновациялық өнімдерді ұсынуға тырысамыз.

Біздің өнім желісі кремний карбиді, кремний нитриді, алюминий оксиді және т.

Қазіргі уақытта біз тазалықты 99,9999% SiC жабынымен және 99,9% қайта кристалданған кремний карбидімен қамтамасыз ететін жалғыз өндірушіміз.SiC жабынының максималды ұзындығы 2640 мм.

Бізге электрондық поштаны жіберіңіз

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

GaAs субстраттары лазерде (LD), жартылай өткізгішті жарық диодында (LED), жақын инфрақызыл лазерде, кванттық ұңғыманың қуатты лазерінде және жоғары тиімді күн батареяларында кеңінен қолданылатын өткізгіш және жартылай оқшаулағыш болып бөлінеді.HEMT және HBT чиптері радар, микротолқынды пеш, миллиметрлік толқын немесе ультра жоғары жылдамдықты компьютерлер мен оптикалық байланыстар үшін;Сымсыз байланысқа арналған радиожиілік құрылғылары, 4G, 5G, спутниктік байланыс, WLAN.

Жақында галлий арсенидінің субстраттары мини-LED, Micro-LED және қызыл жарықдиодты жарықдиодтарда үлкен жетістіктерге жетті және AR/VR киілетін құрылғыларда кеңінен қолданылады.

Диаметрі 晶片直径	50мм \|75мм \|100мм \|150мм
Өсу әдісі 生长方式	LEC液封直拉法 VGF垂直梯度凝固法
Вафельдің қалыңдығы 厚度	350 мм ~ 625 мм
Бағдарлау 晶向	<100> / <111> / <110> немесе т.б
Өткізгіш түрі 导电类型	P – түрі / N – түрі / Жартылай оқшаулағыш
Түрі/Допант 掺杂剂	Zn / Si / қоспасыз
Тасымалдаушы концентрациясы 载流子浓度	1E17 ~ 5E19 см-3
RT кезіндегі кедергі 室温电阻率(ом•см)	SI үшін ≥1E7
Ұтқырлық 迁移率(см2/В•сек)	≥4000
EPD (шұңқырдың тығыздығы) 腐蚀坑密度	100~1E5
TTV 总厚度变化	≤ 10 мм
Садақ / Садақ 翘曲度	≤ 20 мм
Беттік әрлеу 表面	DSP/SSP
Лазерлік белгі 激光码
Баға 等级	Эпи жылтыратылған сорт / механикалық сорт