Өнім Сипаттамасы
4h-n 4inch 6inch dia100mm sic тұқым пластинасы 1мм қалыңдығы құйма өсіруге арналған
Реттелетін өлшем/2 дюйм/3 дюйм/4 дюйм/6 дюйм 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC құймалары/Жоғары тазалық 4H-N 4 дюйм 6 дюймдік диаметрі 150 мм кремний карбиді монокристалды (қосалқы) субстрат пластиналарыS/ Реттелетін кесілген вафли 4 дюймдік 4H-N сорты 1,5 мм SIC тұқымдық кристалға арналған пластиналар
Кремний карбиді (SiC)кристалы туралы
Кремний карбиді (SiC), сондай-ақ карборунд ретінде белгілі, SiC химиялық формуласы бар кремний мен көміртегі бар жартылай өткізгіш.SiC жоғары температурада немесе жоғары кернеуде немесе екеуінде де жұмыс істейтін жартылай өткізгіш электроника құрылғыларында қолданылады.SiC сонымен қатар маңызды жарықдиодты құрамдастардың бірі болып табылады, ол GaN құрылғыларын өсіру үшін танымал субстрат болып табылады, сонымен қатар ол жоғары температурада жылу таратушы ретінде қызмет етеді. қуат диодтары.
Сипаттама
| Меншік | 4H-SiC, монокристал | 6H-SiC, монокристал |
| Тор параметрлері | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Стектеу реті | ABCB | ABCACB |
| Mohs қаттылығы | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Тығыздығы | 3,21 г/см3 | 3,21 г/см3 |
| Терм.Кеңейту коэффициенті | 4-5×10-6/К | 4-5×10-6/К |
| Сыну индексі @750nm | жоқ = 2,61 | жоқ = 2,60 |
| Диэлектрик тұрақтысы | c~9,66 | c~9,66 |
| Жылу өткізгіштік (N-түрі, 0,02 ом.см) | a~4,2 Вт/см·K@298K |
|
| Жылу өткізгіштік (жартылай оқшаулағыш) | a~4,9 Вт/см·K@298K | a~4,6 Вт/см·K@298K |
| Жолақ аралығы | 3,23 эВ | 3,02 эВ |
| Электр өрісінің бұзылуы | 3-5×106В/см | 3-5×106В/см |
| Қанықтылықтың жылжу жылдамдығы | 2,0×105 м/с | 2,0×105 м/с |
