Өндіріспен қамтамасыз ету Жоғары таза көміртегі ұнтағы (6Н көміртегі ұнтағы) әр түрлі сипаттамалар

Өндіріспен қамтамасыз ету Жоғары таза көміртегі ұнтағының (6Н көміртегі ұнтағы) әртүрлі техникалық сипаттамалар Таңдаулы сурет

Қысқаша сипаттама:

SiC ұнтағының тазалығы PVT әдісімен өсірілген SiC монокристалының сапасы мен өнімділігіне тікелей әсер етеді, ал SiC ұнтағын дайындауға арналған шикізат жоғары таза Si ұнтағы және жоғары таза С ұнтағы болып табылады, ал C ұнтағының тазалығы тікелей әсер етеді. SiC ұнтағының тазалығы.

Бізге электрондық поштаны жіберіңіз

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

Тонер өндірісінде қолданылатын шикізатқа әдетте үлпек графиті, мұнай коксы және микрокристалды тас сия жатады.Графиттің тазалығы неғұрлым жоғары болса, пайдалану құндылығы соғұрлым жоғары болады.Графитті тазарту әдістерін физикалық әдістер және химиялық әдістер деп бөлуге болады.Физикалық тазарту әдістеріне флотация және жоғары температурада тазарту, ал химиялық тазарту әдістеріне қышқылды-негіздік әдіс, фторлы қышқылдық әдіс және хлоридті күйдіру әдісі жатады.

Олардың ішінде жоғары температурада тазарту әдісі графиттің жоғары балқу температурасын (3773K) және қайнау температурасын 4N5 және одан да жоғары тазалыққа қол жеткізу үшін пайдалана алады, бұл мақсатқа жету үшін төмен қайнау температурасы бар қоспалардың булануын және шығарылуын қамтиды. тазарту [6].Жоғары тазалықтағы тонердің негізгі технологиясы ізді қоспаларды кетіру болып табылады.Химиялық тазарту және жоғары температуралық тазарту сипаттамаларымен біріктірілген, жоғары тазалықтағы тонер материалдарын тазартуға қол жеткізу үшін бірегей сегменттелген композициялық жоғары температуралы термохимиялық тазарту процесі қабылданады және өнімнің тазалығы 6Н-ден жоғары болуы мүмкін.