Кремний карбиді пластинасыжоғары тазалық кремний ұнтағынан және жоғары тазалыққа арналған көміртегі ұнтағынан шикізат, кремний карбидінің кристалы физикалық бу беру әдісімен (PVT) өсіріледі және өңделедікремний карбиді пластинасы.
① Шикізат синтезі.
② Кристаллдың өсуі.Шикізат ретінде жоғары таза SIC ұнтағын пайдаланып, кристалды өздігінен әзірлеген кристалды өсіретін пешті пайдаланып физикалық бу беру (PVT) әдісімен өсірді.
③ Құзуды өңдеу.Алынған кремний карбидінің кристалл құймасы рентгендік бір кристалды шығыстан, содан кейін жерге және илектелген және стандартты диаметрлі кремний карбид кристалымен өңделген.
④ Кристалды кесу.Көп сызықты кесу жабдығын пайдалана отырып, кремний карбидінің кристалдары қалыңдығы 1 мм-ден аспайтын жұқа парақтарға кесіледі.
Вафли әр түрлі бөлшектердің гауһар түсіретін сұйықтықтарымен қалаған тегісті және кедір-бұдырларға негізделеді.
Беткі зақымданусыз жылтыратылған кремний карбиді механикалық жылтырату және химиялық механикалық жылтырату арқылы алынды.
⑦ Чипті анықтау.Оптикалық микроскопты, рентгендік дифракометрді, атомдық күштерді, байланыстырылмаған сынақшы, бетті тегістелмеген сынақшы, бетті тегістелетін сынақшы, бетті ақшылдық тестілеуші, боранның сапасы, беткі қабаты, кедергілер, төзімділік, қисықтық, қисықтық, қалыңдығының өзгеруі, беткі сызат және кремний карбиді пластинаның басқа параметрлері.Осыған сәйкес чиптің сапа деңгейі анықталады.
⑧ Чиптерді тазалау.Силикон карбидінің жылтырату парағы тазартқыш зат пен таза сумен тазартылған, ал жылтыратқыш сұйықтық пен басқа бетті жылтыратқыш сұйықтықпен және басқа беттік кірді кетіру үшін тазартылады, содан кейін вафли жарылып, суды азоттайтын және кептіру машиналарымен құрғатады;Вафли таза парақ қорапшасына өте таза камерада инкапсулирленген, ол төменгі ағында қолдануға дайын кремний карбиді пластинасын құрайды.
Чиптің үлкен мөлшері, тиісті кристалды өсу және өңдеу технологиялары соғұрлым қиын, және төменгі ағыс құрылғыларының тиімділігі соғұрлым жоғары болады, бұл қондырғының құнын төмендетеді.
Жіберу уақыты: 24 қараша 2023 ж