SOI вафлилері

Қысқаша сипаттама:

SOI вафли үш қабаты бар сэндвич тәрізді құрылым;Оның ішінде үстіңгі қабат (құрылғы қабаты), көмілген оттегі қабатының ортасы (оқшаулағыш SiO2 қабаты үшін) және төменгі субстрат (көлемді кремний).SOI пластиналары SIMOX әдісі мен пластинаны байланыстыру технологиясы арқылы шығарылады, бұл құрылғының жұқа және дәлірек қабаттарын, біркелкі қалыңдығын және төмен ақау тығыздығын қамтамасыз етеді.

Бізге электрондық поштаны жіберіңіз

Өнімнің егжей-тегжейі

Өнім тегтері

SOI вафельдері(1)

Қолдану өрісі

1. Жоғары жылдамдықты интегралдық схема

2. Микротолқынды пеш құрылғылары

3. Жоғары температуралы интегралдық схема

4. Қуат құрылғылары

5. Төмен қуатты интегралдық схема

6. MEMS

7. Төмен вольтты интегралдық схема

Элемент		Аргумент
Жалпы	Вафельдің диаметрі 晶圆尺寸(мм)	50/75/100/125/150/200мм±25ум
	Садақ/Бөгу 翘曲度(	<10ум
	Бөлшектер 颗粒度(	0,3 мм<30еа
	Пәтер/кеңістік 定位边/定位槽	Тегіс немесе ойық
	Жиекті алып тастау 边缘去除(мм)	/
Құрылғы қабаты 器件层	Құрылғы қабатының түрі/допант 器件层掺杂类型	N-Type/P-Type B/ P/ Sb / As
	Құрылғы қабатының бағдары 器件层晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Құрылғы қабатының қалыңдығы 器件层厚度(um)	0,1~300um
	Құрылғы қабатының кедергісі 器件层电阻率(ом•см)	0,001~100,000 Ом-см
	Құрылғы қабатының бөлшектері 器件层颗粒度(	<30ea@0.3
	Құрылғы деңгейі TTV 器件层TTV(	<10ум
	Құрылғы қабатының аяқталуы 器件层表面处理	Жылтыратылған
ЖОРАП	Жерленген термиялық оксидтің қалыңдығы 埋氧层厚度(um)	50нм(500Å)~15um
Тұтқаны қабаты 衬底	Вафельдің түрі/қоспасы 衬底层类型	N-Type/P-Type B/ P/ Sb / As
	Вафли бағдарын ұстаңыз 衬底晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Вафельдің кедергісі 衬底电阻率(ом•см)	0,001~100,000 Ом-см
	Вафельдің қалыңдығы 衬底厚度(um)	>100ум
	Вафельді өңдеуді ұстаңыз 衬底表面处理	Жылтыратылған
Мақсатты сипаттамалардағы SOI пластинкаларын тұтынушы талаптарына сәйкес реттеуге болады.