Біздің компания қамтамасыз етедіSiC жабыныҚұрамында көміртегі мен кремнийі бар арнайы газдар жоғары температурада әрекеттесіп, жабынмен қапталған материалдардың бетіне шөгіп қалуы мүмкін жоғары таза Sic молекулаларын алуы үшін CVD әдісімен графит, керамика және басқа материалдардың бетінде өңдеу қызметтері.SiC қорғаныс қабатыэпитаксистік баррель типті гипнотикалық үшін.
Негізгі ерекшеліктері:
1 .Тазалығы жоғары SiC қапталған графит
2. Жоғары ыстыққа төзімділік және жылу біркелкілігі
3. ЖақсыSiC кристалымен қапталғантегіс бет үшін
4. Химиялық тазалауға төзімділігі жоғары
Негізгі техникалық сипаттамаларыCVD-SIC жабыны
| SiC-CVD қасиеттері | ||
| Кристалл құрылымы | FCC β фазасы | |
| Тығыздығы | г/см³ | 3.21 |
| Қаттылық | Викерс қаттылығы | 2500 |
| Астық мөлшері | мкм | 2~10 |
| Химиялық тазалық | % | 99.99995 |
| Жылу сыйымдылығы | Дж·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Сублимация температурасы | ℃ | 2700 |
| Фелексальды күш | МПа (RT 4-нүкте) | 415 |
| Жас модулі | Gpa (4pt иілу, 1300℃) | 430 |
| Термиялық кеңею (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Жылу өткізгіштік | (Вт/мК) | 300 |
-
Металл душ басы
-
VEECO үшін кремний карбидті эпитаксиалды вафли дискілері...
-
Графит қыздырғышының ыстық аймағы/графит ыстық өрісі, шамамен...
-
SiC қапталған жартылай өткізгіш эпитаксиалды реактор ...
-
Эпитеге арналған кремний карбидпен қапталған графит бөшкелері...
-
Тазалығы жоғары кремний карбидті кристалды қайық тасымалдағыш...