Сипаттама
Біздің компания қамтамасыз етедіSiC жабыныграфит, керамика және басқа материалдардың бетінде CVD әдісімен өңдеу қызметтері, осылайша құрамында көміртегі және кремний бар арнайы газдар жоғары температурада әрекеттеседі, жоғары таза SiC молекулаларын, қапталған материалдардың бетінде тұндырылған молекулаларды түзеді.SIC қорғаныс қабаты.
Негізгі мүмкіндіктер
1. Жоғары температурадағы тотығуға төзімділігі:
температура 1600 C дейін жоғары болған кезде тотығуға төзімділік әлі де өте жақсы.
2. Жоғары тазалық: жоғары температурада хлорлау жағдайында химиялық бу тұндыру арқылы жасалған.
3. Эрозияға төзімділік: жоғары қаттылық, ықшам беті, ұсақ бөлшектер.
4. Коррозияға төзімділік: қышқыл, сілті, тұз және органикалық реагенттер.
CVD-SIC жабынының негізгі сипаттамалары
| SiC-CVD қасиеттері | ||
| Кристалл құрылымы | FCC β фазасы | |
| Тығыздығы | г/см³ | 3.21 |
| Қаттылық | Викерс қаттылығы | 2500 |
| Астық мөлшері | мкм | 2~10 |
| Химиялық тазалық | % | 99.99995 |
| Жылу сыйымдылығы | Дж·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Сублимация температурасы | ℃ | 2700 |
| Фелексальды күш | МПа (RT 4-нүкте) | 415 |
| Жас модулі | Gpa (4pt иілу, 1300℃) | 430 |
| Термиялық кеңею (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Жылу өткізгіштік | (Вт/мК) | 300 |
-
Кремний карбидімен қапталған бөшкеге арналған қабылдағыш
-
MOCVD үшін ұзақ қызмет ететін SIC қапталған графит жылытқышы ...
-
Кеуекті тантал карбиді, ыстық дала материалы...
-
36 дана 4 дюймдік графит негізі MOCVD жабдық...
-
Кремний карбидті жабыны бар графит сепкіш...
-
Кремний карбидімен қапталған эпитаксиалды реактордың бөшкелері