Сипаттама
Біздің компания қамтамасыз етедіSiC жабыныграфит, керамика және басқа материалдардың бетінде CVD әдісімен өңдеу қызметтері, осылайша құрамында көміртегі мен кремний бар арнайы газдар жоғары температурада әрекеттесіп, жоғары таза SiC молекулаларын, бетінде тұндырылған молекулаларды алады.қапталғанSIC қорғаныс қабатын құрайтын материалдар.
SiC душ кабиналарының сипаттамалары келесідей:
1. Коррозияға төзімділік: SiC материалы тамаша коррозияға төзімділікке ие және әртүрлі химиялық сұйықтықтар мен ерітінділердің эрозиясына төтеп бере алады және әртүрлі химиялық өңдеу және бетті өңдеу процестеріне жарамды.
2. Жоғары температура тұрақтылығы:SiC саптамаларыжоғары температуралық ортада құрылымдық тұрақтылықты сақтай алады және жоғары температурада өңдеуді қажет ететін қолданбаларға жарамды.
3. Біркелкі бүрку:SiC саптамадизайн сұйықтықтың біркелкі таралуына қол жеткізуге және тазарту сұйықтығының мақсатты бетке біркелкі жабылуын қамтамасыз етуге мүмкіндік беретін жақсы бүркуді басқару өнімділігіне ие.
4. Жоғары тозуға төзімділік: SiC материалы жоғары қаттылық пен тозуға төзімділікке ие және ұзақ мерзімді пайдалану мен үйкеліске төтеп бере алады.
SiC душ бастиектері жартылай өткізгіштерді өндіруде, химиялық өңдеуде, бетті жабуда, гальванизацияда және басқа да өнеркәсіп салаларында сұйықтықты өңдеу процестерінде кеңінен қолданылады. Ол өңдеу мен өңдеудің сапасы мен дәйектілігін қамтамасыз ету үшін тұрақты, біркелкі және сенімді бүрку әсерлерін қамтамасыз ете алады.
Негізгі мүмкіндіктер
1. Жоғары температурадағы тотығуға төзімділігі:
температура 1600 C дейін жоғары болған кезде тотығуға төзімділік әлі де өте жақсы.
2. Жоғары тазалық: жоғары температурада хлорлау жағдайында химиялық бу тұндыру арқылы жасалған.
3. Эрозияға төзімділік: жоғары қаттылық, ықшам беті, ұсақ бөлшектер.
4. Коррозияға төзімділік: қышқыл, сілті, тұз және органикалық реагенттер.
CVD-SIC жабынының негізгі сипаттамалары
| SiC-CVD қасиеттері | ||
| Кристалл құрылымы | FCC β фазасы | |
| Тығыздығы | г/см³ | 3.21 |
| Қаттылық | Викерс қаттылығы | 2500 |
| Астық мөлшері | мкм | 2~10 |
| Химиялық тазалық | % | 99,99995 |
| Жылу сыйымдылығы | Дж·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Сублимация температурасы | ℃ | 2700 |
| Фелексальды күш | МПа (RT 4-нүкте) | 415 |
| Жас модулі | Gpa (4pt иілу, 1300℃) | 430 |
| Термиялық кеңею (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Жылу өткізгіштік | (Вт/мК) | 300 |
-
Кремний карбиді жабыны бар графитті қабылдағыштар...
-
41 дана 4 дюймдік графит негізі MOCVD жабдығы ...
-
Кремний негізіндегі GaN эпитаксисі
-
Жетілдірілген материалды кесу, микро реактивті лазерлік өңдеу...
-
Эпитаксиядағы төменгі қалқаларға арналған екінші жарты бөліктер...
-
ALD атомдық қабатының тұндыру планеталық сенсоры