Ерекше өзгешеліктері:
Жартылай өткізгіштік қасиеттері бар керамиканың меншікті кедергісі шамамен 10-5~ 107ω.см, ал керамикалық материалдардың жартылай өткізгіштік қасиеттерін қоспалау немесе стехиометриялық ауытқудан туындаған тор ақауларын тудыру арқылы алуға болады.Бұл әдісті қолданатын керамикаға TiO2,
ZnO, CdS, BaTiO3, Fe2O3, Cr2O3 және SiC.Жартылай өткізгішті керамиканың әртүрлі сипаттамалары олардың электр өткізгіштігінің қоршаған ортаға байланысты өзгеруі болып табылады, бұл керамикалық сезімтал құрылғылардың әртүрлі түрлерін жасау үшін пайдаланылуы мүмкін.
Ыстыққа сезімтал, газға сезімтал, ылғалдылыққа сезімтал, қысымға сезімтал, жарыққа сезімтал және басқа сенсорлар.Fe3O4 сияқты жартылай өткізгіш шпинель материалдары басқарылатын қатты ерітінділерде MgAl2O4 сияқты өткізгіш емес шпинель материалдарымен араласады.
MgCr2O4 және Zr2TiO4 термисторлар ретінде пайдаланылуы мүмкін, олар температураға байланысты мұқият басқарылатын қарсылық құрылғылары болып табылады.ZnO-ны Bi, Mn, Co және Cr сияқты оксидтерді қосу арқылы өзгертуге болады.
Бұл оксидтердің көпшілігі ZnO-да қатты ерімейді, бірақ ZnO варисторлы керамикалық материалдарды алу үшін тосқауыл қабатын қалыптастыру үшін түйіршік шекарасында ауытқу болып табылады және варисторлық керамикадағы ең жақсы өнімділікке ие материалдың бір түрі болып табылады.
SiC қоспасы (мысалы, адамның көміртегі қарасы, графит ұнтағы) әртүрлі қарсылық қыздырғыш элементтер ретінде қолданылатын, яғни жоғары температуралы электр пештерінде кремний көміртекті таяқшалар ретінде қолданылатын жоғары температура тұрақтылығы бар жартылай өткізгіш материалдарды дайындай алады.Қажетті нәрсеге дерлік қол жеткізу үшін SiC кедергісі мен көлденең қимасын басқарыңыз
Жұмыс жағдайлары (1500 ° C дейін), оның кедергісін жоғарылату және қыздыру элементінің көлденең қимасын азайту өндірілетін жылуды арттырады.Кремний көміртегі таяқшасы ауада тотығу реакциясы пайда болады, температураны пайдалану әдетте 1600 ° C төмен, кремний көміртекті таяқшаның қарапайым түрімен шектеледі.
Қауіпсіз жұмыс температурасы 1350°C.SiC-де Si атомы N атомымен ауыстырылады, өйткені N-де электрондар көп, артық электрондар бар және оның энергетикалық деңгейі төменгі өткізгіштік зонасына жақын және оны өткізгіштік зонасына көтеру оңай, сондықтан бұл энергетикалық күй донорлық деңгей деп те аталады, бұл жарты
Өткізгіштер N-типті жартылай өткізгіштер немесе электронды өткізгіштер.SiC-де Al атомы Si атомының орнын толтыру үшін пайдаланылса, электронның болмауына байланысты түзілген заттық энергетикалық күй жоғарыдағы валенттік электрон диапазонына жақын, электрондарды қабылдау оңай, сондықтан акцептант деп аталады.
Бос орын оң заряд тасымалдаушымен бірдей әрекет ететіндіктен, электрондарды өткізетін валенттік аймақта бос орын қалдыратын негізгі энергетикалық деңгей Р-типті жартылай өткізгіш немесе тесік жартылай өткізгіш деп аталады (Х. Сарман, 1989).
Жіберу уақыты: 02 қыркүйек 2023 ж