Біздің компания қамтамасыз етедіSiC жабыныҚұрамында көміртегі мен кремнийі бар арнайы газдар жоғары температурада әрекеттесіп, жабынмен қапталған материалдардың бетіне шөгіп қалуы мүмкін жоғары таза Sic молекулаларын алуы үшін CVD әдісімен графит, керамика және басқа материалдардың бетінде өңдеу қызметтері.SiC қорғаныс қабатыэпитаксистік баррель типті гипнотикалық үшін.
Негізгі ерекшеліктері:
1 .Тазалығы жоғары SiC қапталған графит
2. Жоғары ыстыққа төзімділік және жылу біркелкілігі
3. ЖақсыSiC кристалымен қапталғантегіс бет үшін
4. Химиялық тазалауға төзімділігі жоғары
Негізгі техникалық сипаттамаларыCVD-SIC жабыны
| SiC-CVD қасиеттері | ||
| Кристалл құрылымы | FCC β фазасы | |
| Тығыздығы | г/см³ | 3.21 |
| Қаттылық | Викерс қаттылығы | 2500 |
| Астық мөлшері | мкм | 2~10 |
| Химиялық тазалық | % | 99.99995 |
| Жылу сыйымдылығы | Дж·кг-1 ·К-1 | 640 |
| Сублимация температурасы | ℃ | 2700 |
| Фелексальды күш | МПа (RT 4-нүкте) | 415 |
| Жас модулі | Gpa (4pt иілу, 1300℃) | 430 |
| Термиялық кеңею (CTE) | 10-6К-1 | 4.5 |
| Жылу өткізгіштік | (Вт/мК) | 300 |
-
MOCVD үшін кремний карбиді (SiC) вафельді қабылдағыштар
-
Терең УК-жарық диодқа арналған SiC қапталған сенсор
-
Жартылай өткізгіш пластинаға арналған PSS өңдеу тасымалдаушысы ...
-
Кремний карбиді керамикалық жабын
-
Кремний карбиді вафельді тұғыр
-
Жоғары температуралы SiC қапталған эпитаксиалды реактор B...