Қытай вафельді өндірушілер, жеткізушілер, зауыт
Жартылай өткізгіш пластинка дегеніміз не?
Жартылай өткізгішті пластиналар - интегралдық схемаларды (IC) және басқа электрондық құрылғыларды жасау үшін негіз ретінде қызмет ететін жартылай өткізгіш материалдың жұқа, дөңгелек кесіндісі. Вафли әр түрлі электрондық компоненттер салынған тегіс және біркелкі бетті қамтамасыз етеді.
Вафельді өндіру процесі бірнеше қадамдарды қамтиды, соның ішінде қалаған жартылай өткізгіш материалдың үлкен бір кристалын өсіру, кристалды алмас арамен жұқа пластинкаларға кесу, содан кейін кез келген бет ақауларын немесе қоспаларды жою үшін пластиналарды жылтырату және тазалау. Алынған пластиналар өте тегіс және тегіс бетке ие, бұл кейінгі дайындау процестері үшін өте маңызды.
Пластиналар дайындалғаннан кейін олар электронды компоненттерді құруға қажетті күрделі үлгілер мен қабаттарды жасау үшін фотолитография, өрнектеу, тұндыру және допинг сияқты жартылай өткізгіштерді өндіру процестерінен өтеді. Бұл процестер бірнеше интегралды схемаларды немесе басқа құрылғыларды жасау үшін бір пластинада бірнеше рет қайталанады.
Дайындау процесі аяқталғаннан кейін жеке чиптер вафлиді алдын ала анықталған сызықтар бойымен кесу арқылы бөлінеді. Содан кейін бөлінген чиптер оларды қорғау және электрондық құрылғыларға біріктіру үшін электр қосылымдарын қамтамасыз ету үшін оралған.
Вафлидегі әртүрлі материалдар
Жартылай өткізгішті пластиналар, ең алдымен, оның көптігі, тамаша электрлік қасиеттері және стандартты жартылай өткізгіштерді өндіру процестерімен үйлесімділігі арқасында бір кристалды кремнийден жасалған. Дегенмен, арнайы қолданбалар мен талаптарға байланысты, пластиналарды жасау үшін басқа материалдар да пайдаланылуы мүмкін. Міне, кейбір мысалдар:
Кремний карбиді (SiC) - дәстүрлі материалдармен салыстырғанда жоғары физикалық қасиеттерді ұсынатын кең жолақты жартылай өткізгіш материал. Бұл дискретті құрылғылардың, модульдердің және тіпті тұтас жүйелердің өлшемі мен салмағын азайтуға көмектеседі, сонымен бірге тиімділікті арттырады.
SiC негізгі сипаттамалары:
- - Кең жолақ:SiC диапазоны кремнийден шамамен үш есе үлкен, бұл оның 400 ° C-қа дейін жоғары температурада жұмыс істеуіне мүмкіндік береді.
- -Жоғары сыни бұзылу өрісі:SiC кремнийдің он есе электр өрісіне төтеп бере алады, бұл оны жоғары вольтты құрылғылар үшін өте қолайлы етеді.
- -Жоғары жылуөткізгіштік:SiC жылуды тиімді таратады, құрылғыларға оңтайлы жұмыс температурасын сақтауға және олардың қызмет ету мерзімін ұзартуға көмектеседі.
- - жоғары қаныққан электрондардың жылжу жылдамдығы:Кремнийдің дрейф жылдамдығының екі есе жоғарылауымен SiC құрылғыны кішірейтуге көмектесетін жоғары коммутациялық жиіліктерді қамтамасыз етеді.
Қолданбалар:
-
- Қуат электроникасы:SiC қуат құрылғылары энергияны түрлендіру тиімділігін айтарлықтай арттыра отырып, жоғары вольтты, жоғары ток, жоғары температура және жоғары жиілікті ортада жақсы жұмыс істейді. Олар электр көліктерінде, зарядтау станцияларында, фотоэлектрлік жүйелерде, теміржол көлігінде және смарт желілерде кеңінен қолданылады.
-
-Микротолқынды байланыстар:SiC негізіндегі GaN RF құрылғылары сымсыз байланыс инфрақұрылымы үшін, әсіресе 5G базалық станциялары үшін өте маңызды. Бұл құрылғылар SiC тамаша жылу өткізгіштігін GaN жоғары жиілікті, жоғары қуатты РЖ шығысымен үйлестіреді, бұл оларды келесі буын жоғары жиілікті телекоммуникация желілері үшін таңдаулы таңдау жасайды.
Галий нитриді (GaN)үлкен жолағы, жоғары жылу өткізгіштігі, жоғары электрондардың қанығу жылдамдығы және ыдырау өрісінің тамаша сипаттамалары бар үшінші буындағы кең жолақты жартылай өткізгіш материал. GaN құрылғылары жарықдиодты энергияны үнемдейтін жарықтандыру, лазерлік проекциялық дисплейлер, электр көліктері, смарт желілер және 5G байланыстары сияқты жоғары жиілікті, жоғары жылдамдықты және жоғары қуатты салаларда кең қолдану перспективаларына ие.
Галий арсениді (GaAs)жоғары жиілігімен, жоғары электрон мобильділігімен, жоғары қуат шығысымен, төмен шумен және жақсы сызықтылығымен танымал жартылай өткізгіш материал. Ол оптоэлектроника және микроэлектроника салаларында кеңінен қолданылады. Оптоэлектроникада GaAs субстраттары жарықдиодты (жарық шығаратын диодтар), LD (лазерлік диодтар) және фотоэлектрлік құрылғыларды өндіру үшін қолданылады. Микроэлектроникада олар MESFET (металл жартылай өткізгішті өрістік транзисторлар), HEMT (жоғары электрондардың қозғалғыштығы транзисторлары), HBTs (гетероидациялық биполярлы транзисторлар), IC (интегралдық схемалар), микротолқынды диодтар және Холл эффекті құрылғыларын өндіруде қолданылады.
Индий фосфиді (InP)жоғары электрондардың қозғалғыштығымен, тамаша сәулеленуге төзімділігімен және кең диапазонмен танымал маңызды III-V қосылыс жартылай өткізгіштерінің бірі болып табылады. Ол оптоэлектроника және микроэлектроника салаларында кеңінен қолданылады.
