Semicera әртүрлі компоненттер мен тасымалдаушылар үшін арнайы тантал карбиді (TaC) жабындарын ұсынады.Semicera жетекші жабын процесі тантал карбиді (TaC) жабындарына жоғары тазалыққа, жоғары температура тұрақтылығына және жоғары химиялық төзімділікке қол жеткізуге, SIC/GAN кристалдары мен EPI қабаттарының өнім сапасын жақсартуға мүмкіндік береді (Графитпен қапталған TaC сенсоры) және реактордың негізгі компоненттерінің қызмет ету мерзімін ұзарту. Тантал карбидінің TaC жабынын пайдалану жиек мәселесін шешу және кристалдардың өсу сапасын жақсарту болып табылады, ал Semicera халықаралық озық деңгейге жетіп, тантал карбиді жабу технологиясын (CVD) шешті.
8 дюймдік кремний карбиді (SiC) пластинкаларының пайда болуымен әртүрлі жартылай өткізгіш процестерге, әсіресе температура 2000 градус Цельсийден асатын эпитаксистік процестерге қойылатын талаптар барған сайын қатаң бола бастады. Кремний карбидімен қапталған графит сияқты дәстүрлі сенсорлық материалдар эпитаксистік процесті бұза отырып, осы жоғары температурада сублимацияға бейім. Дегенмен, CVD тантал карбиді (TaC) бұл мәселені тиімді шешеді, 2300 градус Цельсийге дейінгі температураға төтеп береді және ұзақ қызмет мерзімін ұсынады. Semicera байланысыs Тантал карбидті жабыны Жарты айозық шешімдеріміз туралы көбірек білу үшін.
Жылдар бойы дамығаннан кейін Semicera технологиясын жеңдіCVD TaCҒЗТКЖ бөлімінің бірлескен күшімен. SiC пластинкаларының өсу процесінде ақаулар оңай пайда болады, бірақ қолданғаннан кейінTaC, айырмашылық айтарлықтай. Төменде TaC бар және жоқ пластиналарды, сондай-ақ монокристалды өсіруге арналған Simicera бөліктерін салыстыру берілген.
TaC бар және онсыз
TaC пайдаланғаннан кейін (оң жақта)
Оның үстіне, Semicera'sTaC жабыны бар өнімдерсалыстырғанда ұзағырақ қызмет ету мерзімін және жоғары температураға төзімділігін көрсетедіSiC жабындары.Зертханалық өлшеулер көрсеткендей, біздіңTaC жабындарыұзақ уақыт бойы 2300 градус Цельсийге дейінгі температурада тұрақты жұмыс істей алады. Төменде біздің үлгілеріміздің кейбір мысалдары берілген:
TaC қапталған сенсор
TaC қапталған реакторы бар графит
