Semicera әртүрлі компоненттер мен тасымалдаушылар үшін арнайы тантал карбиді (TaC) жабындарын ұсынады.Semicera жетекші жабын процесі тантал карбиді (TaC) жабындарына жоғары тазалыққа, жоғары температура тұрақтылығына және жоғары химиялық төзімділікке қол жеткізуге, SIC/GAN кристалдары мен EPI қабаттарының өнім сапасын жақсартуға мүмкіндік береді (Графитпен қапталған TaC сенсоры) және реактордың негізгі компоненттерінің қызмет ету мерзімін ұзарту. Тантал карбидінің TaC жабынын пайдалану жиек мәселесін шешу және кристалдардың өсу сапасын жақсарту болып табылады, ал Semicera халықаралық озық деңгейге жетіп, тантал карбиді жабу технологиясын (CVD) шешті.
Жылдар бойы дамығаннан кейін Semicera технологиясын жеңдіCVD TaCҒЗТКЖ бөлімінің бірлескен күшімен. SiC пластинкаларының өсу процесінде ақаулар оңай пайда болады, бірақ қолданғаннан кейінTaC, айырмашылық айтарлықтай. Төменде TaC бар және жоқ пластиналарды, сондай-ақ монокристалды өсіруге арналған Semicera бөліктерін салыстыру берілген.
TaC бар және онсыз
TaC пайдаланғаннан кейін (оң жақта)
Сонымен қатар, Semicera компаниясының TaC қаптамасының өнімдерінің қызмет ету мерзімі SiC жабынына қарағанда ұзағырақ және жоғары температураға төзімді. Ұзақ уақыт бойы зертханалық өлшеу деректерінен кейін біздің TaC максималды 2300 градус Цельсийде ұзақ уақыт жұмыс істей алады. Төменде біздің кейбір үлгілеріміз берілген:
(a) PVT әдісі бойынша SiC монокристалды құйма өсіретін құрылғының схемалық диаграммасы (b) Жоғарғы TaC қапталған тұқым кронштейні (SiC тұқымын қоса) (c) TAC қапталған графит бағыттаушы сақина
-
SiC жабынының бөшкелік реакторының эпи жүйесі
-
Кремний карбидті вафли ұстағышы
-
Кремний карбидімен қапталған бөшкеге арналған қабылдағыш
-
Кремний карбиді SiC қапталған эпитаксиалды реактор Ба...
-
Жартылай өткізгішті оюға арналған SiC жабын тасушылар
-
Кремний карбидімен қапталған эпитаксиалды реактордың бөшкелері