-
Жартылай өткізгішті өндіру процесі – Etch технологиясы
Вафлиді жартылай өткізгішке айналдыру үшін жүздеген процестер қажет. Ең маңызды процестердің бірі - оюлау, яғни пластинаға жұқа схемалық үлгілерді ою. Оңалту процесінің сәттілігі әр түрлі айнымалыларды белгілі бір тарату ауқымында басқаруға байланысты және әрбір ою...Толығырақ оқыңыз -
Плазмалық сызу жабдығындағы фокус сақиналары үшін тамаша материал: кремний карбиді (SiC)
Плазмалық ою-өрнек жабдығында керамикалық компоненттер, соның ішінде фокус сақинасы маңызды рөл атқарады. Вафлидің айналасында орналасқан және онымен тікелей байланыста болатын фокус сақинасы сақинаға кернеу беру арқылы плазманы пластинаға фокустау үшін өте маңызды. Бұл жұмысты жақсартады...Толығырақ оқыңыз -
Кремний карбиді монокристалды өңдеудің пластинаның бетінің сапасына әсері
Жартылай өткізгішті қуат құрылғылары энергетикалық электронды жүйелерде негізгі орынды алады, әсіресе жасанды интеллект, 5G коммуникациялары және жаңа энергетикалық көліктер сияқты технологиялардың қарқынды дамуы жағдайында оларға қойылатын өнімділік талаптары ...Толығырақ оқыңыз -
SiC өсуі үшін негізгі негізгі материал: тантал карбиді жабыны
Қазіргі уақытта жартылай өткізгіштердің үшінші буынында кремний карбиді басым. Оның құрылғыларының құны құрылымында субстрат 47%, ал эпитаксис 23% құрайды. Екеуі бірге шамамен 70% құрайды, бұл кремний карбиді құрылғысы өндірісінің ең маңызды бөлігі болып табылады...Толығырақ оқыңыз -
Тантал карбидімен қапталған өнімдер материалдардың коррозияға төзімділігін қалай арттырады?
Тантал карбиді жабыны - бұл материалдардың коррозияға төзімділігін айтарлықтай жақсарта алатын жиі қолданылатын бетті өңдеу технологиясы. Тантал карбиді жабыны субстраттың бетіне әртүрлі дайындау әдістерімен, мысалы, химиялық буларды тұндыру, физикалық ...Толығырақ оқыңыз -
Кеше ғылым мен технологияның инновациялық кеңесі Huazhuo Precision Technology IPO-ны тоқтатқаны туралы хабарлама шығарды!
Жаңа ғана Қытайдағы алғашқы 8 дюймдік SIC лазерлік күйдіру жабдығын жеткізу туралы хабарлады, бұл да Цинхуа технологиясы; Неліктен олар материалдарды өздері алып тастады? Бірнеше сөз: Біріншіден, өнімдер тым әртүрлі! Бір қарағанда, мен олардың не істейтінін білмеймін. Қазіргі уақытта Х...Толығырақ оқыңыз -
CVD кремний карбиді жабыны-2
CVD кремний карбиді жабыны 1. Неліктен кремний карбиді жабыны бар Эпитаксиалды қабат - эпитаксиалды процесс арқылы пластинаның негізінде өсірілген ерекше монокристалды жұқа қабық. Субстрат пластинасы мен эпитаксиалды жұқа қабықша бірігіп эпитаксиалды пластиналар деп аталады. Олардың ішінде...Толығырақ оқыңыз -
SIC жабынын дайындау процесі
Қазіргі уақытта SiC жабындарын дайындау әдістеріне негізінен гель-зол әдісі, ендіру әдісі, қылшықпен қаптау әдісі, плазмалық бүрку әдісі, химиялық бу реакциясы әдісі (CVR) және химиялық бу тұндыру әдісі (CVD) жатады. Енгізу әдісіБұл әдіс жоғары температуралы қатты фазаның бір түрі болып табылады ...Толығырақ оқыңыз -
CVD кремний карбиді жабыны-1
CVD SiC дегеніміз не Химиялық буларды тұндыру (CVD) - жоғары тазалықтағы қатты материалдарды алу үшін қолданылатын вакуумдық тұндыру процесі. Бұл процесс пластинаның бетінде жұқа қабықшаларды қалыптастыру үшін жартылай өткізгіштерді өндіру саласында жиі қолданылады. CVD арқылы SiC дайындау процесінде субстрат эксп...Толығырақ оқыңыз -
SiC кристалындағы дислокация құрылымын рентгендік топологиялық бейнелеу көмегімен сәулелік бақылауды модельдеу арқылы талдау
Зерттеу фоны Кремний карбидінің (SiC) қолдану маңыздылығы: Кең жолақты жартылай өткізгіш материал ретінде кремний карбиді өзінің тамаша электрлік қасиеттеріне (үлкен жолақ аралығы, электрондардың жоғары қанығу жылдамдығы және жылу өткізгіштік сияқты) байланысты көп назар аударды. Бұл тірек...Толығырақ оқыңыз -
SiC монокристалды өсіндісінде тұқымдық кристалды дайындау процесі 3
Өсуді тексеру Кремний карбиді (SiC) тұқымдық кристалдары көрсетілген процестен кейін дайындалды және SiC кристалының өсуі арқылы расталды. Пайдаланылған өсу платформасы өсу температурасы 2200℃, өсу қысымы 200 Па және өсу температурасы бар өздігінен әзірленген SiC индукциялық өсу пеші болды.Толығырақ оқыңыз -
SiC монокристалды өсіндісінде тұқымдық кристалды дайындау процесі (2-бөлім)
2. Тәжірибелік процесс 2.1 Жабысқақ пленканы қатайту Желіммен қапталған SiC пластинкаларында тікелей көміртекті қабықшаны жасау немесе графит қағазымен байланыстыру бірнеше мәселелерге әкелетіні байқалды: 1. Вакуум жағдайында SiC пластиналарындағы жабысқақ қабыршықтың қабыршақ тәрізді көрінісі пайда болды. қол қою...Толығырақ оқыңыз