-
Тантал карбиді дегеніміз не?
Тантал карбиді (TaC) – TaC x химиялық формуласы бар тантал мен көміртегінің екілік қосылысы, мұнда x әдетте 0,4 пен 1 арасында өзгереді. Олар металл өткізгіштігі бар өте қатты, сынғыш, отқа төзімді керамикалық материалдар. Олар қоңыр-сұр ұнтақтар және біз...Толығырақ оқыңыз -
тантал карбиді дегеніміз не
Тантал карбиді (TaC) - жоғары температураға төзімді, жоғары тығыздық, жоғары жинақылығы бар ультра жоғары температуралы керамикалық материал; жоғары тазалық, қоспа мөлшері <5PPM; және жоғары температурада аммиак пен сутегіге химиялық инерттілігі және жақсы термиялық тұрақтылығы. Өте жоғары деп аталатын ...Толығырақ оқыңыз -
Эпитаксия дегеніміз не?
Көптеген инженерлер жартылай өткізгішті құрылғыларды өндіруде маңызды рөл атқаратын эпитаксиямен таныс емес. Эпитаксияны әртүрлі чип өнімдерінде қолдануға болады және әртүрлі өнімдерде эпитаксияның әртүрлі түрлері бар, соның ішінде Si эпитаксисі, SiC эпитаксисі, GaN эпитаксисі және т.б. Эпитаксия дегеніміз не?Эпитаксия дегеніміз...Толығырақ оқыңыз -
SiC маңызды параметрлері қандай?
Кремний карбиді (SiC) жоғары қуатты және жоғары жиілікті электронды құрылғыларда кеңінен қолданылатын маңызды кең жолақты жартылай өткізгіш материал болып табылады. Төменде кремний карбидті пластинаның кейбір негізгі параметрлері және олардың егжей-тегжейлі түсіндірмесі берілген: Тор параметрлері: ...Толығырақ оқыңыз -
Неліктен монокристалды кремнийді илемдеу керек?
Домалау деп кремний монокристалды өзекшенің сыртқы диаметрін алмазды тегістеу дөңгелегі арқылы қажетті диаметрдегі бір кристалды өзекшеге ұнтақтау және жалпақ жиекті тірек бетін немесе монокристалды өзекшенің орналасу ойығын тегістеу процесін айтады. Сыртқы диаметрі беті...Толығырақ оқыңыз -
Жоғары сапалы SiC ұнтақтарын өндіру процестері
Кремний карбиді (SiC) - өзінің ерекше қасиеттерімен белгілі бейорганикалық қосылыс. Моиссанит ретінде белгілі табиғи SiC өте сирек кездеседі. Өнеркәсіптік қолданбаларда кремний карбиді негізінен синтетикалық әдістер арқылы өндіріледі. Semicera Semiconductor-да біз озық техниканы пайдаланамыз...Толығырақ оқыңыз -
Кристалды тарту кезінде радиалды меншікті кедергінің біркелкілігін бақылау
Монокристалдардың радиалды меншікті кедергісінің біркелкілігіне әсер ететін негізгі себептер: қатты-сұйықтық интерфейсінің тегістігі және кристалдық өсу кезіндегі кіші жазықтық әсері. , ...Толығырақ оқыңыз -
Неліктен магнит өрісінің монокристалды пеші монокристалдың сапасын жақсарта алады?
Тигель ыдыс ретінде пайдаланылғандықтан және оның ішінде конвекция болғандықтан, түзілетін монокристалдың өлшемі ұлғайған сайын жылу конвекциясы мен температура градиентінің біркелкілігін бақылау қиындай түседі. Өткізгіш балқыма Лоренц күшіне әсер ету үшін магнит өрісін қосу арқылы конвекция ...Толығырақ оқыңыз -
Сублимация әдісімен CVD-SiC көлемді көзін пайдаланып SiC монокристалдарының жылдам өсуі
Сублимация әдісі арқылы CVD-SiC көлемді көзін пайдалану арқылы SiC монокристалының жылдам өсуі SiC көзі ретінде қайта өңделген CVD-SiC блоктарын пайдалану арқылы SiC кристалдары PVT әдісі арқылы 1,46 мм/сағ жылдамдықпен сәтті өсірілді. Өскен кристалдың микроқұбыры мен дислокацияның тығыздығы оның де...Толығырақ оқыңыз -
Кремний карбиді эпитаксиалды өсіру жабдығындағы оңтайландырылған және аударылған мазмұн
Кремний карбидінің (SiC) астарларында тікелей өңдеуге кедергі келтіретін көптеген ақаулар бар. Чипті пластиналарды жасау үшін эпитаксиалды процесс арқылы SiC субстратында нақты бір кристалды пленканы өсіру керек. Бұл пленка эпитаксиалды қабат ретінде белгілі. Барлық дерлік SiC құрылғылары эпитаксиалды...Толығырақ оқыңыз -
Жартылай өткізгіштер өндірісіндегі SiC-жабылған графит сусцепторларының шешуші рөлі мен қолдану жағдайлары
Semicera Semiconductor бүкіл әлемде жартылай өткізгіштерді өндіруге арналған жабдықтың негізгі компоненттерін өндіруді ұлғайтуды жоспарлап отыр. 2027 жылға қарай біз жалпы инвестиция көлемі 70 миллион АҚШ долларын құрайтын 20 000 шаршы метр жаңа зауыт құруды мақсат етіп отырмыз. Біздің негізгі компоненттеріміздің бірі кремний карбиді (SiC) пластинасы...Толығырақ оқыңыз -
Неліктен кремний пластинасының субстраттарында эпитакс жасау керек?
Жартылай өткізгіштердің өнеркәсіп тізбегінде, әсіресе үшінші буындағы жартылай өткізгіштердің (кең жолақты жартылай өткізгіш) өнеркәсіп тізбегінде астарлар мен эпитаксиалды қабаттар бар. Эпитаксиальды қабаттың маңызы қандай? Субстрат пен субстраттың айырмашылығы неде? кіші...Толығырақ оқыңыз